Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R299CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R299CPA
IPB60R299CPAATMA1 Hakkında
IPB60R299CPAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli dren akımı ve 299mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında etkili anahtarlama sağlar. 10V gate sürüş voltajında 29nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliği gösteren bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol, enerji dönüştürme devreleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılmaktadır. -40°C ile +150°C arasında çalışan bileşen, 96W güç saçılım kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok