Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R280P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R280P6
IPB60R280P6ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB60R280P6ATMA1, 600V dayanıklı N-Channel MOSFET transistörüdür. 25°C'de 13.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate sürüş voltajında 280mΩ maksimum Rds(On) değeri ile güç dönüştürme uygulamalarında verimli çalışır. Gate yükü 25.5nC ve input kapasitansi 1190pF olan bu transistör, düşük sürüş gereksinimli devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan endüstriyel seviye bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 430µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok