Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R280CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO263-3-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R280CFD7
IPB60R280CFD7ATMA1 Hakkında
IPB60R280CFD7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır. 280mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 D²Pak paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 51W maksimum güç dağıtabilir. 10V gate-source gerilimi ile çalışan bu transistör, hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 807 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 51W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok