Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R280C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R280C6
IPB60R280C6ATMA1 Hakkında
IPB60R280C6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 13.8A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 43nC gate charge özellikleri ile güç elektronik devrelerinde anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. Endüstriyel sürücü uygulamaları, güç kaynakları, invertör ve konverter devreleri gibi alanlarda kullanım alanı bulunmaktadır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketlemesi ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 430µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok