Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R250CPATMA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R250C
IPB60R250CPATMA1 Hakkında
IPB60R250CPATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve yüksek gerilim endüstriyel sistemlerinde kullanılır. 250mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Maksimum 104W güç dağıtabilir. Gate charge değeri 35nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok