Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R230P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R230P6
IPB60R230P6ATMA1 Hakkında
IPB60R230P6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 16.8A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 230mΩ (10V, 6.4A koşullarında) on-state direnci düşük güç kaybı sağlar. TO-263 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motorlu uygulamalar ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 31nC gate charge ve 1450pF input kapasitansuyla hızlı komütasyon gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 126W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 6.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 530µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok