Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R210CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R210CFD7ATMA1
IPB60R210CFD7ATMA1 Hakkında
IPB60R210CFD7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu komponentin maksimum drain-source gerilimi 650V'tur. 210mΩ (10V, 4.9A koşullarında) on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 23nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun karakteristiklere sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Endüstriyel güç kontrol, solar invertörler, motorlar sürücüleri ve switched-mode güç kaynakları gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1015 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 64W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok