Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R199CPATMA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R199CPATMA1
IPB60R199CPATMA1 Hakkında
IPB60R199CPATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V Drain-Source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında çalışmak için tasarlanmıştır. 199mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlayan bu bileşen, güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, anahtarlama güç kaynakları (SMPS) ve inverter tasarımlarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığına sahiptir. 43nC gate charge ve 1520pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1520 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok