Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R199CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R199CPA
IPB60R199CPAATMA1 Hakkında
IPB60R199CPAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 16A sürekli dren akımı ve 199mΩ (10V, 9.9A) ile karakterize edilen bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 139W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahip olup, SMPS, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. Not For New Designs statüsünde olan bu komponen, mevcut tasarımların bakımı ve revizyon işlerinde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1520 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok