Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R190C6
IPB60R190C6ATMA1 Hakkında
IPB60R190C6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 20.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve inverter tasarımlarında yer alır. 190mΩ maksimum Rds(on) değeri ile iletim kayıplarını minimalize eder. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 10V gate sürüş voltajı gereksinimleriyle esnek entegrasyon sağlar. Düşük kapasitans değerleri (1400pF @ 100V) hızlı anahtarlama karakteristiğini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok