Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R180P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R180P7ATMA1
IPB60R180P7ATMA1 Hakkında
IPB60R180P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 18A sürekli drain akımı ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 180mOhm on-direnç (RDS(on)) değerine sahiptir. 25nC gate yükü ve 1081pF giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleeri ve elektriksel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 72W güç saçabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok