Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R180C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R180C7
IPB60R180C7ATMA1 Hakkında
IPB60R180C7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drenaj-kaynak gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 130mΩ (max) RDS(on) değeri ile düşük kanal direnci sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi sistemlerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir ve 68W maksimum güç saçılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok