Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R170CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 14A TO263-3-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R170CFD7ATMA1
IPB60R170CFD7ATMA1 Hakkında
IPB60R170CFD7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source geriliminde 14A sürekli drenaj akımını destekler. 170mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. 10V kapı sürüş gerilimi ile uygun konfigüre edilmiş olup, maksimum 75W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve yüksek gerilim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 28nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama işlemleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok