Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R165CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R165CPATMA1
IPB60R165CPATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB60R165CPATMA1, 600V drain-source gerilimi ve 21A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltajlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 165mΩ maksimum on-direnç değeri (Rds On) ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında 192W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. Düşük 52nC (10V'de) gate charge özelliği ile hızlı komütasyon işlemleri mümkün kılmaktadır. Güç kaynakları, motor kontrolü, endüstriyel güç dönüştürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 192W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 790µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok