Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R145CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R145CFD7ATMA1
IPB60R145CFD7ATMA1 Hakkında
IPB60R145CFD7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 16A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması görevini üstlenir. 145mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile enerji kaybını minimalize eder. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreler, AC-DC konverterler, motor kontrol ve anahtarmalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 31nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1330 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 6.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 340µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok