Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R125C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R125C6
IPB60R125C6ATMA1 Hakkında
IPB60R125C6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajında 30A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, 125mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketlemede sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışan bileşen, 3.5V eşik geriliminde tetiklenir ve 96nC gate charge değerine sahiptir. ±20V maksimum gate-source gerilim ile kontrol edilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2127 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 219W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok