Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R120P7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 26A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R120P7
IPB60R120P7ATMA1 Hakkında
IPB60R120P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 26A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 120mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. D2PAK (TO-263) surface mount paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi, enerji dönüştürme, endüstriyel sürücü devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 36nC gate charge ve 1544pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon sağlayan bu FET, 10V drive voltajda optimum performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1544 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 95W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok