Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R105CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO263-3-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R105CFD7ATMA1
IPB60R105CFD7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB60R105CFD7ATMA1, 650V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistördür. 21A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. 105mΩ on-state dirençi (RDS On) ve 42nC gate charge karakteristiği ile enerji verimliliği sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel invertörler, SMPS sistemleri, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilimi toleransı ile geniş uygulanabilirlik alanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1752 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 470µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok