Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R099CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R099C
IPB60R099CPATMA1 Hakkında
IPB60R099CPATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 31A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-263-3 (D²Pak) paketlemesiyle Surface Mount montajı destekler. 99mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. 255W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle ısıl yönetim gereksinimleri minimize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok