Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R099C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R099C7ATMA1
IPB60R099C7ATMA1 Hakkında
IPB60R099C7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 22A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 99mOhm maksimum RDS(ON) değeri ile verimli güç transferi sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, 10V gate voltajında çalışır ve 42nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile +150°C arasında sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 110W güç tüketimi sınırına sahiptir. Endüstriyel güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve elektrik motorları sürücü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1819 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok