Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R080P7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R080P7
IPB60R080P7ATMA1 Hakkında
IPB60R080P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. 37A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 80mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi sayesinde kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Boost konvertörleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve ağır yüklü DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 129W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 11.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok