Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R060P7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 48A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R060P7
IPB60R060P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB60R060P7ATMA1, N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 48A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevi gerçekleştirir. 60mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-263 D²Pak paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüler, invertörler ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate sürücü voltajında 67nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2895 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 164W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 15.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok