Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R060C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R060C7ATMA1
IPB60R060C7ATMA1 Hakkında
IPB60R060C7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sağlanan bu bileşen, anahtarlama tabanlı güç dönüştürme devreleri, invertörler, AC/DC adaptörler, endüstriyel motor sürücüleri ve enerji dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 60mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 162W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 15.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok