Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB60R040CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB60R040CFD7ATMA1
IPB60R040CFD7ATMA1 Hakkında
IPB60R040CFD7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 650V dren-kaynak gerilim (Vdss) ve 50A sürekli dren akımı (Id) ile yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması işlevi görür. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu transistör, 40mΩ maximum kapalı durum direnci (Rds(on)) ile verimli enerji dönüşümü sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüler, motorlu sürücüler, SMPS devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük kapı yükü (108nC) hızlı anahtarlama performansı ve minimum tahrik gücü gereksinimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 108 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4351 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 24.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.25mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok