Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB600N25N3G
IPB600N25N3GATMA1 Hakkında
IPB600N25N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 60mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında 136W maksimum güç dağıtabilir. 4V gate-source eşik gerilimi ile sürücü devrelerine uyumlu tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok