Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB530N15N3G
IPB530N15N3GATMA1 Hakkında
IPB530N15N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük on-direnç (53mOhm @ 18A, 10V) özellikleri ile inverter, güç kaynakları, motor sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında ve maksimum 68W güç yayınlama kapasitesinde çalışabilir. Vgs(th) 4V ve maksimum gate gerilimi ±20V ile kontrol edilmesi kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 887 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok