Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB50R299CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB50R299CP
IPB50R299CPATMA1 Hakkında
IPB50R299CPATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paket tipi ile surface mount montajına uygundur. 299mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Güç kaynakları, UPS sistemleri, endüstriyel sürücü devreleri ve yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 104W güç dağıtabilir. Gate charge değeri 31nC olup hızlı anahtarlama özellikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok