Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB50R250CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB50R250CPA
IPB50R250CPATMA1 Hakkında
IPB50R250CPATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 550V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 250mΩ (Rds On) ile verimli şalter karakteristiği sunmaktadır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 36nC gate charge değeri hızlı komütasyon özellikleri ile kompakt devre tasarımlarına uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1420 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 520µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok