Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB50R199CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB50R199CP
IPB50R199CPATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB50R199CPATMA1, 550V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. 17A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 199mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. 139W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok