Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB50R199CP
MOSFET N-CH 500V 17A TO263-3-2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB50R199CP
IPB50R199CP Hakkında
IPB50R199CP, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 17A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 199mΩ on-state direnci (RDS-on) ile verimli iletim sağlar. TO-263-3 yüzey montajlı paket biçiminde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel anahtarlama devreleri, konvertörler ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 45nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok