Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB50R140CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB50R140CPATMA1
IPB50R140CPATMA1 Hakkında
IPB50R140CPATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source gerilim, 23A sürekli drenaj akımı ve 140mΩ on-resistance değerlerine sahip bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri ve enerji yönetimi sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ile çalışır, maksimum gate şarjı 64nC'dir. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2540 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 192W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 930µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok