Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB50CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB50CN10NGA
IPB50CN10NGATMA1 Hakkında
IPB50CN10NGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 20A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (50mΩ @ 20A, 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. Anahtarlama frekansında yüksek hız ve kararlı işletme için tasarlanmıştır. Otomotiv, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları ve LED sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1090 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok