Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB47N10S33ATMA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB47N10S33ATMA1
IPB47N10S33ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB47N10S33ATMA1, N-kanal MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ile 47A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, güç anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, 33mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeriyle düşük güç kaybı ile çalışır. 175W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç devrelerinde uygulanabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, farklı endüstriyel ortamlara uygunluğunu sağlar. Bileşen obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 175W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok