Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB45N06S409ATMA2
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB45N06S409ATMA2
IPB45N06S409ATMA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB45N06S409ATMA2, 60V drain-source voltaj ve 45A sürekli drain akımı kapasitesi olan N-channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 9.4mOhm maksimum on-state direnci ve 47nC gate charge özellikleriyle düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama ve DC-DC konvertör devreleri gibi endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılır. 71W maksimum güç dağıtım kapasitesiyle orta güç uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3785 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok