Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPB45N06S3-16

MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IPB45N06S3

IPB45N06S3-16 Hakkında

IPB45N06S3-16, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 45A sürekli drain akımı ile güçlü anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 15.4mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 65W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum gate gerilimi ±20V ve 57nC gate yükü ile kontrol devresi tasarımı kolaylığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2980 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.4mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 30µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok