Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB407N30NATMA1
MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB407N30NATMA1
IPB407N30NATMA1 Hakkında
IPB407N30NATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 44A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılan bir bileşendir. 40.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı paketinde sunulur ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği 87nC@10V olup, anahtarlama hızı kontrollü uygulamalar için uygundur. Elektrik kaynakları, motor sürücüleri, çalışma modlu güç kaynakları (SMPS) ve benzer konverter uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7180 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.7mOhm @ 44A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok