Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB330P10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB330P10N
IPB330P10NMATMA1 Hakkında
IPB330P10NMATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ile çalışan bu bileşen, 6.9A sürekli drenaj akımı ve 33mΩ on-resistance değerleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlı regülatör devrelerinde tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan komponent, -55°C ile +175°C arasında çalışır ve 300W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 236nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta), 62A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 236 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 53A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5.55mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok