Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB320P10LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB320P10LMA
IPB320P10LMATMA1 Hakkında
IPB320P10LMATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ile tasarlanan bu komponent, Trench teknolojisi kullanılarak düşük on-resistance değerleri elde etmektedir. 6.5A (Ta) ve 63A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 32mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Switch mode power supplies, motor kontrol devreleri, yük anahtarlaması ve güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10V gate drive voltajı ile kontrol edilebilir ve 219nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta), 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 219 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 54A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 5.55mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok