Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB320N20N3
IPB320N20N3GATMA1 Hakkında
IPB320N20N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ile 34A sürekli drenaj akımını destekler. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı kasa ile sağlanan bu bileşen, 10V gate geriliminde 32mΩ RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 136W güç yayabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrolü ve endüstriyel güç elektronikleri gibi alanlarda kullanılan bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 34A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok