Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB26CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB26CNE8N
IPB26CNE8N G Hakkında
Infineon Technologies IPB26CNE8N G, 85V/35A N-channel MOSFET transistörüdür. D²Pak (TO-263-3) surface mount paket ile sunulan bu bileşen, güç anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. 26mOhm (10V, 35A koşullarında) düşük on-direnç, hızlı komütasyon sağlar. 31nC gate charge ve 2070pF input capacitance ile sürücü devrelerine az yük bindirir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, SMPS, motor kontrol, DC/DC dönüştürücü ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. Maximum 71W güç tüketme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 39µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok