Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB26CN10N
IPB26CN10NGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB26CN10NGATMA1, 100V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 26mOhm maksimum on-state direnci ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 31nC gate yükü ve 2070pF giriş kapasitesi özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 71W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 39µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok