Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB260N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB260N06N3G
IPB260N06N3GATMA1 Hakkında
IPB260N06N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 27A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 25.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulan bu komponentin işletme sıcaklık aralığı -55°C ile +175°C arasındadır. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.7mOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 11µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok