Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB25N06S3L
IPB25N06S3L-22 Hakkında
IPB25N06S3L-22, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 55V drain-source voltaj derecelendirilmesi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 10V gate voltajında 21.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygun özelliklere sahiptir. Motor kontrol, anahtarlama kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılabilir. 47nC gate charge ve 2260pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.3mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok