Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB25N06S3-25
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB25N06S3
IPB25N06S3-25 Hakkında
IPB25N06S3-25, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel power MOSFET'tir. 55V Drain-Source gerilim derecelendirmesine ve 25A sürekli drenaj akımına sahiptir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynağı tasarımları ve elektriksel yük yönetimi sistemlerinde kullanılır. 24.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında 48W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük gate yükü (41nC @ 10V) ile verimli devrelerde yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1862 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok