Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB240N03S4LR8ATMA1928
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB240N03S4LR8
IPB240N03S4LR8ATMA1928 Hakkında
IPB240N03S4LR8ATMA1928, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 240A kontinyu drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 0.76mOhm düşük on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. TO-263-7 D²Pak yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar ve 300W güç dağılım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 380 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.76mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 230µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok