Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB230N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB230N06L3G
IPB230N06L3GATMA1 Hakkında
IPB230N06L3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 30A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, düşük 23mΩ (10V, 30A'de) RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük geçiş kayıpları ile şeffaf enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 11µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok