Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB200N25N3
IPB200N25N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB200N25N3GATMA1, 250V drain-source gerilimi ve 64A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 20mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. 10V gate sürüş gerilimine göre optimize edilmiş tasarıma sahiptir. Güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, power supply tasarımlarında ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 300W maksimum güç harcaması ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarına uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 64A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok