Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB19DP10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB19DP10N
IPB19DP10NMATMA1 Hakkında
IPB19DP10NMATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ile tasarlanan bu bileşen, Trench teknolojisini kullanarak düşük On-Resistance (185mOhm @ 12A, 10V) sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 2.9A sürekli dren akımı (25°C'de) kapasitesine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) çalışabilmesi sayesinde güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 45nC maksimum gate charge ve 2000pF input kapasitans değerleri, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarımı gösterir. 3.8W (Ta) güç tüketim kapasitesi ile compact uygulamalara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta), 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.04mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok