Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB180P04P4L02ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB180P04P4L02
IPB180P04P4L02ATMA2 Hakkında
IPB180P04P4L02ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. 2.4mΩ'luk düşük on-resistance değeri ile ısıl kaybı minimize eder. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 286 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 18700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 410µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok