Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB180P04P403ATMA2
IPB180P04P403ATMA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB180P04P403ATMA2, P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source geriliminde 180A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-263-7 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 2.8mOhm (100A, 10V koşullarında) Ron değeri ile düşük kayıplar sağlar. 150W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Gate charge özellikleri 250nC (@10V), input capacitance 17640pF (@25V)'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve enerji yönetimi sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok